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  • 序號

    專利號

    專利名稱

    授權公告日

  • 70

    201610631795.5

    在圖形化氮化鎵單晶襯底上制備氮化鎵發光二極管的方法

    2019-04-24

  • 71

    201610611552.5

    一種用于清洗Source的支架

    2019-04-24

  • 72

    201610598446.8

    一種垂直式HVPE設備用溫場改善裝置

    2019-04-24

  • 73

    201610611553.X

    一種HVPE設備用鎵舟反應器

    2019-04-24

  • 74

    201610373655.2

    一種在HVPE中高速率穩定生長GaN晶體材料的方法

    2019-04-24

  • 76

    201610141887.5

    一種無損傷的GaN襯底激光剝離方法

    2019-04-24

  • 77

    201610029138.3

    一種在Si襯底上制備高遷移率AlGaNGaN電子功率器件的方法

    2019-04-24

  • 78

    201610017711.9

    一種氮化物單晶生長裝置和方法

    2019-04-24

  • 79

    201510656861.X

    一種聯動可調節的隔熱保溫裝置及使用方法

    2019-04-24

  • 81

    201510519116

    一種大型垂直式HVPE反應室的裝配輔助裝置

    2019-04-24

  • 82

    201510443168.4

    一種清除HVPE設備管道尾氣沉積物的裝置及方法

    2019-04-24

  • 86

    201510060950.8

    一種用于氣相外延生長半導體單晶材料的反應器

    2019-04-24

  • 87

    201510054617.6

    一種鎵源自動補給及回收裝置

    2019-04-24

  • 88

    201410686083.4

    一種在Si襯底上采用碳納米管作為周期性介質掩膜制備低位錯密度GaN薄膜的方法

    2019-04-24

  • 89

    201410687721.4

    一種在Si襯底上制備無裂紋GaN薄膜的方法

    2019-04-24

  • 90

    201410650342.8

    一種異質襯底表面改性調控基片彎曲度的方法

    2019-04-24

  • 91

    201410520437.8

    一種MOCVD中InN/LT-AlN復合應力釋放緩沖層技術

    2019-04-24

  • 94

    201410421647.1

    一種在大尺寸Si襯底上制備高電子遷移率場效應晶體管的方法

    2019-04-24

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